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HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
定制定做 沖擊電壓發(fā)生裝置 交流耐壓試驗(yàn)裝置 工頻交流耐壓測試儀產(chǎn)品簡介:
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
示波器的協(xié)議功能大家都不生疏,你是否有過波形看起來正常,協(xié)議參數(shù)、設(shè)置都正確,卻無法正常的經(jīng)歷呢?本文以UART協(xié)議為例,分享由于波特率漂移導(dǎo)致通信異常的故障排查過程。什么是波特率漂移呢?可以理解為被測部件晶振有偏差,導(dǎo)致實(shí)際波特率和正常的波特率不一致。為什么波特率漂移會導(dǎo)致通信異常呢?本文從波形出發(fā),帶你自檢結(jié)果。波特率漂移導(dǎo)致通信異常的故障排查引出這樣一個(gè)真實(shí)的例子,PC端發(fā)送串口數(shù)據(jù)為“0EE0610320FF0FC0FF0FF”,示波器結(jié)果為“0EE0980F60FC0FF”初步判定通信故障。
沖擊測試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波(full)或截?cái)啵╟hopped) 的閃電突波(L.I)
LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導(dǎo)致燒壞,關(guān)于這個(gè)問題,也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗,簡單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作,手動或自動完成充放電過程,真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。
充電控制功能
系統(tǒng)采用恒流充電。
根據(jù)試驗(yàn)要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間,能夠手動或者自動控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控制方式充電時(shí),根據(jù)設(shè)定值,自動充電并穩(wěn)定在充電電壓值上,延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。
動作控制
本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
可控制本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。
手動/自動控制。
2 觸發(fā)控制
系統(tǒng)能夠手動、自動或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時(shí)
什么是RDMA?RDMA(RemoteDirectMemoryAccess),通俗的說就是遠(yuǎn)程的DMA技術(shù),是為了解決網(wǎng)絡(luò)傳輸中服務(wù)器端數(shù)據(jù)處理的延遲而產(chǎn)生的。傳統(tǒng)模式與RDMA模式工作機(jī)制對比如上圖,在傳統(tǒng)模式下,兩臺服務(wù)器上的應(yīng)用之間傳輸數(shù)據(jù),過程是這樣的:要把數(shù)據(jù)從應(yīng)用緩存拷貝到Kernel中的TCP協(xié)議棧緩存;然后再拷貝到驅(qū)動層;后拷貝到網(wǎng)卡緩存。多次內(nèi)存拷貝需要CPU多次介入,導(dǎo)致處理延時(shí)大,達(dá)到數(shù)十微秒。